电源一台

Mo电极及CIG共沉积设备通过直流溅射方式进行镀膜，可以实现各种金属、合金薄膜的制备。可溅射材料：Mo、CuIn、CuGa等各种金属、合金薄膜。
ZnO缓冲层制备设备为二靶磁控溅射镀膜设备，通过射频溅射方式进行镀膜，适用于微电子、光电子、微机械、新材料、新能源等众多研究方向的科研及教学使用。

ZnO缓冲层制备设备：
1.真空室：不锈钢单真空室，上升盖形式，带有前开舱门
2.极限真空：6.67×10-5Pa（环境湿度≤55%）
3.本底真空：设定在9×10-4Pa量级
4.真空室漏气率：≤5.0×10-8Pa•L/s
5.抽气速率：系统短时间暴露大气并充干燥N2开始抽气，溅射室30分钟可达到9.0×10-4Pa
6.真空室保压：系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa
7.溅射材料：ZnO、AlZnO等非金属及金属化合物
8.溅射靶：Φ100mm磁控溅射靶两只，上置安装，靶基距可调
9.溅射不均匀性：
≤±5%（100mm×100mm范围内）
≤±4%（70mm×70mm范围内）
10.溅射室规格：Φ500mm×380mm
11.工件台旋转：可自转，转速5~30rpm可调
12.样品加热：最高加热温度600℃，PID自动测温、控温，多段控温模式，控温精度±1%
13.载片量：最大可承载Φ200mm（Φ8英寸）样品一片
Mo电极及CIG共沉积设备：
1.真空室数量：双室，包含1个低真空样片室，1个高真空溅射室。
2.沉积室极限真空度：6.67×10-5Pa（环境湿度≤55%情况下，经烘烤除气）
3.load-lock（进样取样）室极限真空度：6.67×10-1Pa。
4.系统真空检漏率：≤5.0×10-8Pa·L/s。
5.真空室保压：系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa。
6.抽气速率：系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气，溅射室30分钟可达到9.0×10-4Pa。
7.溅射材料：Mo、CuIn、CuGa等各种金属、合金薄膜。
8.溅射靶：Φ100mm磁控溅射靶3只，上置安装，靶基距8～10cm范围内可调。
9.溅射不均匀性：
≤±5%（100mm×100mm范围内）；
≤±4%（70mm×70mm范围内）。
10.溅射室规格：Φ500mm×380mm。
11.工件台旋转：可自转，转速5～30rpm范围内可调，磁流体密封。
12.衬底加热：灯光加热器，加热温度600℃，PID自动测温、控温，多段控温模式，控温精度±1%。
13,载片量：最大Φ200mm（8英寸）1片。
14.load-lock（自动进样取样机构）取送样品尺寸：最大Φ150mm（Φ6英寸）1片。